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更新时间:2024-12-19 02:22:24 点击:500次

产品型号 ULTRA
参考报价 返回顶部 面议
基本规格
产品类型 返回顶部 扫描电镜
品牌 返回顶部 蔡司光学
产地 返回顶部 德国
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技术参数
分辨率 返回顶部 1.0 nm @ 15 kV 1.7 nm @ 1 kV 4.0 nm @ 0.1 kV
放大倍数 返回顶部 12 - 900,000x
加速电压 返回顶部 0.1 - 30 kV
其他信息
产品简介

仪器简介:

在SUPRA™场发射扫描电子显微镜基础上发展起来的ULTRA 场发射扫描电子显微镜是用于纳米结构分析的电子束成像仪器中的佼佼者,它接收效率高、可以超高分辨率成像。最新开发的能量选择式背散射电子探测器(EsB)和角度选择式背散射电子探测器(AsB)则代表了著名的GEMINI®技术的最新发展。
ULTRA综合采用了用于形貌成像的GEMINI® In-len二次电子探测器、用于清晰的组分衬度的EsB探测器和用于采集晶体通道信息的AsB探测器。同步的实时成像与信号混合功能提供了最佳的成像能力。
EsB探测器包含有一个过滤栅网,通过它可实现高分辨率背散射电子成像,让以前无法看见的细节历历在目。
卡尔.蔡司独特的荷电补偿功能在使用所有探测器时,都可以分析非导电样品

 低加速电压时的超高分辨率二次电子和背散射电子成像
 用于在纳米尺度上实现组分衬度成像的高效EsB / AsB探测器
 精确控制的超大自动优中心(eucentric)样品台
 背散射电子和二次电子信号的实时成像与混合功能
 抑制不导电样品的荷电效应
 用于X射线分析和背散射电子衍射(EBSD)应用的超稳定束流模式



技术参数:

ULTRA基本规格

分辨率

1.0 nm @ 15 kV

1.7 nm @ 1 kV

4.0 nm @ 0.1 kV

加速电压

0.1 - 30 kV

探测电流

4 pA - 20 nA

放大倍数

12 - 900,000x

电子枪

热场发射

标准探测器

镜筒内置式In-Lens二次电子探测器和EsB探测器,样品室内AsB探测器和ET探测器

图象处理

7种积分和平均模式

系统控制

基于Windows® XPSmartSEM™

 

ULTRA 55SE

成像与测量工作站



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技术创新 ULTRA——最佳的成像工具  看得更多——超高分辨率的SE与BSE同步成像  看得更清——精确的最佳成像能力  看得更细——纳米尺度上进行组分分析的利器  简便易用——全面集成的镜筒内置式背散射电子探测器(EsB)和二次电子探测器(In-lens detector)  远离荷电——Ultra plus中安装有荷电补偿器,实现了不导电样品的清晰、精确成像
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