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最新产品 > 物理分析仪器 > 电子光学仪器 > 扫描电镜>FEI 扫描电镜 Versa™ ...
更新时间:2025-01-20 17:15:49 点击:777次
产品型号 | Versa™ 3D DualBeam | |||||||||||||||||
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参考报价 | 返回顶部 面议 | |||||||||||||||||
基本规格 | ||||||||||||||||||
产品类型 | 返回顶部 扫描电镜 | |||||||||||||||||
品牌 | 返回顶部 FEI | |||||||||||||||||
产地 | 返回顶部 荷兰 | |||||||||||||||||
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技术参数 | ||||||||||||||||||
分辨率 | 返回顶部 1.Versa 3D(高真空):电子束: -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV(配等离子清洗器) -- 1.2 nm @ 30 kV -- 1.3 nm @ 15 kV(配等离子清洗器) -- 2.0 nm @ 1 kV(配射束减速功能) -- 2.9 nm @ 1 kV;离子束 :7.0nm @ 30 kV(同心) 5.0nm @ 30 kV 最佳。2.Versa 3D(高真空和低真空):电子束:分辨率(高真空): -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV SE(配等离子清洗器) -- 1.2 nm/30 kV SE -- 1.3 nm @ 15 kV SE(配等离子清洗器) -- 2.0 nm @ 1 kV SE(配射束减速功能) -- 2.9 nm @ 1 kV SE;离子束:分辨率(高真空): 7.0nm @ 30 kV(同心) 5.0nm @ 30 kV 最佳 | |||||||||||||||||
其他信息 | ||||||||||||||||||
产品简介 |
FEI DualBeam 系列最新仪器FEI 的最新 DualBeam 仪器 Versa 3D 是一个高度可选配的平台,客户可根据自己的需求来选系统功能的配置。 高真空版是常规导电或镀膜样品的理想之选。 与之不同,高低真空版可以灵活工作于包括非镀膜、绝缘材料等众多样品。选配的环境扫描电镜ESEM 模式可做非镀膜、绝缘体或自然含水样品的电子束成像,并支持原位分析和动态试验。
创新点上市时间:2011年10月
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FEI 的最新 DualBeam 仪器 Versa 3D 是一个高度可选配的平台,客户可根据自己的需求来选系统功能的配置。 高真空版是常规导电或镀膜样品的理想之选。 与之不同,高低真空版可以灵活工作于包括非镀膜、绝缘材料等众多样品。选配的环境扫描电镜ESEM 模式可做非镀膜、绝缘体或自然含水样品的电子束成像,并支持原位分析和动态试验。 |
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技术创新 | FEI DualBeam 系列最新仪器 FEI 的最新 DualBeam 仪器 Versa 3D 是一个高度可选配的平台,客户可根据自己的需求来选系统功能的配置。 高真空版是常规导电或镀膜样品的理想之选。 与之不同,高低真空版可以灵活工作于包括非镀膜、绝缘材料等众多样品。选配的环境扫描电镜ESEM 模式可做非镀膜、绝缘体或自然含水样品的电子束成像,并支持原位分析和动态试验。 产品 电子束 离子束 Versa 3D(高真空) 分辨率: -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV(配等离子清洗器) -- 1.2 nm @ 30 kV -- 1.3 nm @ 15 kV(配等离子清洗器) -- 2.0 nm @ 1 kV(配射束减速功能) -- 2.9 nm @ 1 kV 着陆电压: 50 V - 30 kV 探针电流: < = 200 nA 分辨率: 7.0nm @ 30 kV(同心) 5.0nm @ 30 kV 最佳 着陆电压: 500 V - 30 kV 探针电流: 1.5 pA - 65 nA -------------------------------------------------------------------------------- Versa 3D(高真空和低真空) 分辨率(高真空): -- 0.8 nm @ 30 kV STEM -- 1.0 nm @ 30 kV SE(配等离子清洗器) -- 1.2 nm/30 kV SE -- 1.3 nm @ 15 kV SE(配等离子清洗器) -- 2.0 nm @ 1 kV SE(配射束减速功能) -- 2.9 nm @ 1 kV SE 着陆电压(高真空): 50 V - 30 kV 探针电流: < = 200 nA 分辨率(低真空): 分辨率(高真空): 7.0nm @ 30 kV(同心) 5.0nm @ 30 kV 最佳 着陆电压: 500 V - 30 kV 探针电流: 1.5 pA - 65 nA -------------------------------------------------------------------------------- 主要优点 • 可检查任何样品的表面和表面下方区域的 DualBeam 功能(纳米和微米尺度样品修改) • 结合了高束流 FIB 切割/沉积和低电压 FIB 清洗,迅速切割/沉积材料,生产出最高质量、低损伤样品表面 • 高质量 TEM 和原子探针样品制备,配以低电压清洗,实现 TEM/原子探针的原子级研究 • 全面补充之软件,可用于执行如三维批量切片等高级任务,并可使用 CAD 或图像文件进行表征、样品制备和原型制造 • 灵活的电子束真空配置,用于检查仅高真空配置系统内的导体样品,或者检查高真空和低真空配置系统内的导体和绝缘样品 • Auto Slice and View G3 可利用一套探测器*对广泛的材料类型进行三维表征,实现了从各个角度获取信息 • ESEM* 功能可进行涉及气体*和热量控制*的动态实验 创新点上市时间:2011年10月 FEI 的最新 DualBeam 仪器 Versa 3D 是一个高度可选配的平台,客户可根据自己的需求来选系统功能的配置。 高真空版是常规导电或镀膜样品的理想之选。 与之不同,高低真空版可以灵活工作于包括非镀膜、绝缘材料等众多样品。选配的环境扫描电镜ESEM 模式可做非镀膜、绝缘体或自然含水样品的电子束成像,并支持原位分析和动态试验。 返回顶部 | |||||||||||||||||
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