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拯救摩尔定律！新型晶体硅芯片集成法
2016-08-09 15:26:42
益择网讯（楚楚/译编）近年来，一些业内人士推测：除非出现新技术来解除半导体行业的限制，否则摩尔定律（戈登•摩尔发现的著名物理现象，即集成电路上的晶体管数量每两年增加一倍）的功能最终会耗尽。为此，瑞士苏黎世IBM的一个研究小组在纽约同事的支持下发出了一种将化合物半导体材料制成的生长晶体集成到硅晶圆片上的相对简单、稳健、多功能的方法，这是提高未来计算机芯片性能，并持续缩减集成电路规模和成本的重要一步，新方法也会影响硅光子学，无缝集成活跃光子与电子组件更多的功能。
IBM团队用III-V材料制造如纳米线、交叉连接以及3D多层纳米线的单晶纳米结构。由铟、镓砷化物合金制成的III-V半导体被视为未来计算机芯片的候选材料，但前提是它们可成功地集成到硅晶片上。新晶体生长使用一种称为模板辅助选择性外延的方法使，即用金属从小到大进行有机化学气相沉积，形成没有缺陷的晶体。这种方法能平板印刷氧化定义模板并通过外延填补，最终形成纳米线、交叉连接以及3D多层纳米线。“这项工作有别于其他半导体化合物方法的是其完全兼容目前芯片制造工艺过程，”施密德说，“更重要的是该方法在经济上可行。”
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