首页 > 供求信息 > 列表

Hakuto离子蚀刻机 20IBE-C用于蚀刻 KDP 晶体

2021-02-01 08:19:29  伯东企业(上海)有限公司  发布
  某厂商研发部门采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削(SPDT)后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹.

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

portant;">

离子蚀刻机

Ф4 inch X 6片

portant;">

基板尺寸

portant;">

< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片

portant;">

样品台

portant;">

样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转

portant;">

离子源

portant;">

20cm 考夫曼离子源

portant;">

均匀性

portant;">

±5% for 8”Ф

portant;">

硅片蚀刻率

portant;">

20 nm/min

portant;">

温度

portant;">

<100

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图:

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

portant;">

离子源型号

portant;">

RFICP 220

portant;">

Discharge

portant;">

RFICP 射频

portant;">

离子束流

portant;">

>800 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

20 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦

portant;">

流量

portant;">

10-40 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

长度

portant;">

30 cm

portant;">

直径

portant;">

41 cm

portant;">

中和器

portant;">

LFN 2000

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量.

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.

 

通过采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.  

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

伯东版权所有, 翻拷必究!

 

    分享到:
暂无评论

更多促销产品