Hakuto离子蚀刻机 20IBE-C用于蚀刻 KDP 晶体
2021-02-01 08:19:29 伯东企业(上海)有限公司 发布
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
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Ф4 inch X 6片 |
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基板尺寸 |
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< Ф3 inch X 8片 |
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样品台 |
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样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 |
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离子源 |
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20cm 考夫曼离子源 |
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均匀性 |
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±5% for 8”Ф |
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硅片蚀刻率 |
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20 nm/min |
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温度 |
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<100 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图:
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
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离子源型号 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射频 |
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离子束流 |
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>800 mA |
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离子动能 |
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100-1200 V |
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栅极直径 |
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20 cm Φ |
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离子束 |
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聚焦 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通气 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
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< 0.5m Torr |
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长度 |
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30 cm |
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直径 |
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41 cm |
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中和器 |
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LFN 2000 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
通过采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
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