hakuto 离子刻蚀机 20IBE 刻蚀滤波器钽酸锂晶片-益择网-专业的仪器网上选购商城

安徽某晶体厂商采用 hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 刻蚀滤波器钽酸锂晶片, 采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题, 使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数:

portant;"> Φ4 inch X 12片	portant;"> 基片尺寸	portant;"> Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	portant;"> 均匀性	portant;"> ±5%
	portant;"> 硅片刻蚀率	portant;"> 20 nm/min
	portant;"> 样品台	portant;"> 直接冷却,水冷
	portant;"> 离子源	portant;"> Φ20cm 考夫曼离子源

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	portant;"> RFICP 220
portant;"> Discharge	portant;"> RFICP 射频
portant;"> 离子束流	portant;"> >800 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 20 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

晶体滤波器的用途越来越广泛, 尤其在通信机和雷达设备中, 都需要高频率、大带宽的晶体滤波器. 目前,晶体滤波器使用的主要材料是石英晶体, 由于其具有高品质因数(Q)值、良好的温度稳定性和时间稳定性, 在精度要求很高的窄带滤波器中具有很大的优越性.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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