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离子蚀刻机20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片
2021-02-01 08:38:04 伯东企业（上海）有限公司 发布
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
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Ф4 inch X 6片 |
portant;">
基板尺寸 |
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< Ф3 inch X 8片 |
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样品台 |
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样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 |
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离子源 |
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20cm 考夫曼离子源 |
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均匀性 |
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±5% for 8”Ф |
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硅片蚀刻率 |
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20 nm/min |
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温度 |
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<100 |
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号 |
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RFICP 220 |
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Discharge |
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RFICP 射频 |
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离子束流 |
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>800 mA |
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离子动能 |
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100-1200 V |
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栅极直径 |
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20 cm Φ |
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离子束 |
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聚焦 |
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流量 |
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10-40 sccm |
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通气 |
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
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< 0.5m Torr |
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长度 |
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30 cm |
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直径 |
portant;">
41 cm |
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中和器 |
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LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 技术参数:
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2707-Operating voltage: V DC |
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48 (± 5 %) V DC |
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Ar 的压缩比 |
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> 1 · 1011 |
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Ar 的抽速 |
portant;">
665 l/s |
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portant;">
Ar 的最终转速时的气体流量 |
portant;">
3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s |
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portant;">
H2 的压缩比 |
portant;">
4 · 105 |
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portant;">
H2 的抽速 |
portant;">
555 l/s |
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portant;">
H2 的最终转速时的气体流量 |
portant;">
> 14 hPa l/s | > 10.5 Torr l/s | > 14 mbar l/s |
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portant;">
He 的压缩比 |
portant;">
3 · 107 |
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portant;">
He 的抽速 |
portant;">
655 l/s |
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portant;">
He 的最终转速时的气体流量 |
portant;">
10 hPa l/s | 7.5 Torr l/s | 10 mbar l/s |
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I/O 接口 |
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RS-485, 远程, Profibus |
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portant;">
N2 的压缩比 |
portant;">
> 1 · 1011 |
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portant;">
N2 的抽速 |
portant;">
685 l/s |
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N2 的最大预真空 |
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11 百帕 |
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N2 的最终转速时的气体流量 |
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6.5 hPa l/s | 4.88 Torr l/s | 6.5 mbar l/s |
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不带气镇的最终压力 |
portant;">
1 · 10-7 百帕 |
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允许冷却水的温度 |
portant;">
15 – 35 °C 摄氏度 |
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portant;">
冷却水消耗最小值 |
portant;">
100 l/h |
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portant;">
冷却水耗量 |
portant;">
100 l/h |
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portant;">
冷却类型，可选项 |
portant;">
空气 |
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portant;">
冷却类型，标准 |
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水 |
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portant;">
声压水平 |
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≤50 dB(A) 分贝 (A) |
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portant;">
安装方向 |
portant;">
任何 |
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排气连接 |
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G 1/8" |
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portant;">
接口，扩展 |
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Profibus |
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方位 |
portant;">
混合动力 |
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最大允许磁场 |
portant;">
6 mT |
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portant;">
根据 PNEUROP 的最终压力 |
portant;">
< 1 · 10-
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