离子蚀刻机10IBE用于提升碳化硅微光学元件的品质-益择网-专业的仪器网上选购商城

某光学元件制造商为了优化碳化硅微光学元件, 降低碳化硅微光学元件表面粗糙度, 采用 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE对其进行优化.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

portant;"> 基板尺寸	portant;"> < Ф8 X 1wfr
portant;"> 样品台	portant;"> 直接冷却（水冷）0-90 度旋转
portant;"> 离子源	portant;"> 16cm 考夫曼离子源
portant;"> 均匀性	portant;"> ±5% for 4”Ф
portant;"> 硅片刻蚀率	portant;"> 20 nm/min
portant;"> 温度	portant;"> <100

该制造商采用的 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数：

portant;"> 离子源型号	portant;"> 离子源 KDC 160
portant;"> Discharge	portant;"> DC 热离子
portant;"> 离子束流	portant;"> >650 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 16 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 2-30 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 25.2 cm
portant;"> 直径	portant;"> 23.2 cm
portant;"> 中和器	portant;"> 灯丝

* 可选: 可调角度的支架

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 配的是 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持刻蚀室的真空度.

其产品优势:

1.结构紧凑但功能强大的涡轮泵，用于 N₂ 时的最高抽速可达 685 l/s

2.最真空性能，最低功耗

3.集成的带 Profibus 的驱动电子装置 TC 400

4.可在任何方向安装

5.带有集成型水冷系统以保证最大气体流量

6.通过 M12 插接头的 Profibus 连接

7.广泛的配件扩展使用范围

运行结果:

1. 经过 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度, 使结构表面粗糙度由约106nm降低到11.8nm.

2. 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 :
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw

分享到：

离子蚀刻机10IBE用于提升碳化硅微光学元件的品质

更多促销产品

更多最新产品