Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J用于光学器件精密加工-益择网-专业的仪器网上选购商城

某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数

portant;"> Φ4 inch X 12片	portant;"> 基片尺寸	portant;"> Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片
	portant;"> 均匀性	portant;"> ±5%
	portant;"> 硅片刻蚀率	portant;"> 20 nm/min
	portant;"> 样品台	portant;"> 直接冷却,水冷
	portant;"> 离子源	portant;"> Φ20cm 考夫曼离子源

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	portant;"> RFICP 220
portant;"> Discharge	portant;"> RFICP 射频
portant;"> 离子束流	portant;"> >800 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 20 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                &

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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J用于光学器件精密加工

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