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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层

2021-02-01 08:42:40  伯东企业(上海)有限公司  发布
  

某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.

 

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

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真空腔

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1 set, 主体不锈钢,水冷

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基片尺寸

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1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

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离子源

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ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

portant;">

离子束入射角

portant;">

0 Degree~± 90 Degree

portant;">

极限真空

portant;">

≦1x10-4 Pa

portant;">

刻蚀性能

portant;">

一致性: ≤±5% across 4”

 

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数:

portant;">

 离子源型号

portant;">

 离子源 KDC 75 

portant;">

Discharge

portant;">

DC 热离子

portant;">

离子束流

portant;">

>250 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

7.5 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦, 平行, 散射

portant;">

流量

portant;">

2-15 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

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典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

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长度

portant;">

20.1 cm

portant;">

直径

portant;">

14 cm

portant;">

中和器

portant;">

灯丝

 

无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构(Passivation, metal, IDL)可一层一层去除, 也就是芯片去层(Delayer), 通过层次去除(Delayer)可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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