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Hakuto离子蚀刻机10IBE应用于碲镉汞晶体电学特性研究

2021-02-01 08:44:14  伯东企业(上海)有限公司  发布
  研究机构采用Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 碲镉汞晶体进行蚀刻并研究碲镉汞晶体蚀刻后的电学特性.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

portant;">

基板尺寸

portant;">

< Ф8 X 1wfr

portant;">

样品台

portant;">

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

portant;">

离子源

portant;">

16cm 考夫曼离子源

portant;">

均匀性

portant;">

±5% for 4”Ф

portant;">

硅片刻蚀率

portant;">

20 nm/min

portant;">

温度

portant;">

<100

 

 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE  离子源是配伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:

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 离子源型号

portant;">

 离子源 KDC 160 

portant;">

Discharge

portant;">

DC 热离子

portant;">

离子束流

portant;">

>650 mA

portant;">

离子动能

portant;">

100-1200 V

portant;">

栅极直径

portant;">

16 cm Φ

portant;">

离子束

portant;">

聚焦平行散射

portant;">

流量

portant;">

2-30 sccm

portant;">

通气

portant;">

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

portant;">

典型压力

portant;">

< 0.5m Torr

portant;">

中和器

portant;">

灯丝

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

 

试验利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现 180μm  p 型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为 n , 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层.

通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致.

不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀.

另外,通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高 2—3 个数量级.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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