KRI考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积制备碳薄膜-益择网-专业的仪器网上选购商城

北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	RFICP220
portant;"> Discharge	RFICP 射频
portant;"> 离子束流	>800 mA
portant;"> 离子动能	100-1200 V
portant;"> 栅极直径	20 cm Φ
portant;"> 离子束	聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	10-40 sccm
portant;"> 通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	< 0.5m Torr
portant;"> 长度	30 cm
portant;"> 直径	41 cm
portant;"> 中和器	LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

该溅射沉积是在气压为 1.33×10^-4Pa 和衬底温度为室温条件下,利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射石墨, 在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜.

通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析; 利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构; 实验结果显示, 辐照时间对 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响, 并且高离子束能量能够促进碳晶粒的结晶. 同时, 在高能量的离子束下沉积碳纳米薄膜, 在 Si 表面发现了特殊图案的碳纳米结构

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KRI考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积制备碳薄膜

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