KRI考夫曼射频离子源RFICP220溅射沉积 MoN 薄膜
2021-02-02 06:41:00 伯东企业(上海)有限公司 发布
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
portant;">
离子源型号 |
portant;">
RFICP220 |
portant;">
Discharge |
portant;">
RFICP 射频 |
portant;">
离子束流 |
portant;">
>800 mA |
portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
栅极直径 |
portant;">
20 cm Φ |
portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
portant;">
流量 |
portant;">
10-40 sccm |
portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
portant;">
长度 |
portant;">
30 cm |
portant;">
直径 |
portant;">
41 cm |
portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
结果表明:
偏压显著影响直流磁控沉积的 MoN 薄膜的晶相结构、表面形貌、断面结构、硬度和摩擦磨损性能;随脉冲偏压的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后减小, 而薄膜的磨损率却先减小后增大, 其中 -500 V 脉冲偏压下沉积的 MoN 薄膜具有最高硬度为 7731 N/mm~2, 以及最低的磨损率为 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).
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