考夫曼射频离子源RFICP380成功用于复合磁控溅射沉积装置-益择网-专业的仪器网上选购商城

某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

portant;"> 射频离子源型号	portant;"> RFICP380
portant;"> Discharge 阳极	portant;"> 射频 RFICP
portant;"> 离子束流	portant;"> >1500 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 30 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 39 cm
portant;"> 直径	portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

该复合磁控溅射沉积装置主要包含：

1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000

3. 高功率脉冲磁控溅射电源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基台

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

分享到：

考夫曼射频离子源RFICP380成功用于复合磁控溅射沉积装置

更多促销产品

更多最新产品