KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积红外器件介质膜-益择网-专业的仪器网上选购商城

某红外半导体镀膜工业厂商采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积红外器件介质膜, 以提高镀膜厚度的均匀性.

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	portant;"> RFICP220
portant;"> Discharge	portant;"> RFICP 射频
portant;"> 离子束流	portant;"> >800 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 20 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 30 cm
portant;"> 直径	portant;"> 41 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

提高镀膜均匀性的重要性：

以碲镉汞半导体材料为代表的红外探测器器件工艺中, 几乎都要进行表面钝化和金属膜电极成型工艺, 在红外焦平面和读出电路的互连工艺中, 金属膜的厚度均匀性对于互连工艺的可靠性起着至关重要的作用. 在背照式红外探测器的红光收面, 往往都要涂镀一层或数层介质膜, 以起到对器件进行保护和对红外辐射减反射的作用, 介质膜的厚度均匀性同样会影响探测器的滤光和接收带宽.

为了提高均匀性, 客户同时采用基片离心旋转法, 样品台转速为 15 r/min.

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

分享到：

KRI考夫曼射频离子源RFCIP220溅射沉积红外器件介质膜

更多促销产品

更多最新产品