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伯东KRI考夫曼射频离子源RFICP380溅射制备VO2薄膜
2021-02-02 06:43:59 伯东企业（上海）有限公司 发布
天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
| portant;">
射频离子源型号 |
portant;">
RFICP380 |
| portant;">
Discharge 阳极 |
portant;">
射频 RFICP |
| portant;">
离子束流 |
portant;">
>1500 mA |
| portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
| portant;">
栅极直径 |
portant;">
30 cm Φ |
| portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦, 平行, 散射 |
| portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
| portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
| portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
| portant;">
长度 |
portant;">
39 cm |
| portant;">
直径 |
portant;">
59 cm |
| portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
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客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层.
KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:
1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率
2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率
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