考夫曼射频离子源RFICP220辅助磁控溅射沉积Cu-W 膜-益择网-专业的仪器网上选购商城

为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜.

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

portant;"> 射频离子源型号	portant;"> RFICP380
portant;"> Discharge 阳极	portant;"> 射频 RFICP
portant;"> 离子束流	portant;"> >1500 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 30 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦, 平行, 散射
portant;"> 流量	portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 39 cm
portant;"> 直径	portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

上图为磁控溅射系统工作示意图

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.

客户材料:

基片为φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶纯度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 铜靶纯度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作气体为纯度 99.99% 的氩气.

运行结果:

当 W 含量在11.1%时, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
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考夫曼射频离子源RFICP220辅助磁控溅射沉积Cu-W 膜

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