伯东 KRI离子源用于大口径光学元件KDP 晶体的溅射与刻蚀-益择网-专业的仪器网上选购商城

为了满足激光惯性约束核聚变对光学晶体磷酸二氢钾（KDP）晶体所需的面形精度、表面质量的高要求, 对降低 KDP 晶体表面粗糙度和消除 KDP 晶体表面周期性刀痕, 某厂商采用离子源产生的离子束进行KDP晶体的沉积修正抛光.

该厂商采用双离子源溅射沉积系统, 其中一个离子源采用伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 380 对靶材进行溅射, 另一个离子源采用伯东 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 对样品进行离子刻蚀.

其工作示意图如下：

用于溅射的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

portant;"> 射频离子源型号	portant;"> RFICP 380
portant;"> Discharge 阳极	portant;"> 射频 RFICP
portant;"> 离子束流	portant;"> >1500 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 30 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦
portant;"> 流量	portant;"> 15-50 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 39 cm
portant;"> 直径	portant;"> 59 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

推荐理由：

聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

用于刻蚀的 KRI 平行考夫曼离子源 KDC 100 技术参数：

portant;"> 离子源型号	portant;"> 离子源 KDC 100
portant;"> Discharge	portant;"> DC 热离子
portant;"> 离子束流	portant;"> >400 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 12 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 平行
portant;"> 流量	portant;"> 2-20 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 23.5 cm
portant;"> 直径	portant;"> 19.4 cm
portant;"> 中和器	portant;"> 灯丝

* 可选: 可调角度的支架

推荐理由：

使用 KRI 平行型射频离子源 RFICP 100 可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀, 可以使大口径光学元件 KDP 晶体表面更均匀

运行结果:

1. 溅射沉积的KDP晶体表面的均匀性在5%以内, 刻蚀均匀性在5%以内

2. 离子束刻蚀可以消除KDP晶体表面周期性刀痕

3. KDP晶体表面粗糙度降低到1.5nm,达到了预期目的

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

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伯东 KRI离子源用于大口径光学元件KDP 晶体的溅射与刻蚀

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