射频离子源RFICP220用于ZAO透明导电薄膜性能研究试验-益择网-专业的仪器网上选购商城

某实验室运用直流磁控溅射法, 采用 ZAO 陶瓷靶材, 结合正交试验表通过改变制备工艺中的基片温度、溅射功率、氧流量百分比等参数, 在普通玻璃衬底上制备得到ZnO: Al（ZAO）透明导电薄膜.

试验设备:

伯东 KRI 聚焦射频离子源 RFICP 220 进行溅射, 选用 ZAO 陶瓷靶, 基片为普通玻璃, 普发 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

工艺要求:

靶与基片距离为5cm, 溅射时间为30 min

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 220 技术参数:

portant;"> 离子源型号	portant;"> RFICP 220
portant;"> Discharge	portant;"> RFICP 射频
portant;"> 离子束流	portant;"> >800 mA
portant;"> 离子动能	portant;"> 100-1200 V
portant;"> 栅极直径	portant;"> 20 cm Φ
portant;"> 离子束	portant;"> 聚焦
portant;"> 流量	portant;"> 10-40 sccm
portant;"> 通气	portant;"> Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
portant;"> 典型压力	portant;"> < 0.5m Torr
portant;"> 长度	portant;"> 30 cm
portant;"> 直径	portant;"> 41 cm
portant;"> 中和器	portant;"> LFN 2000

推荐理由:

聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染

在整个实验工艺中工作气压保持在 3x 10-1Pa, 因此采用伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3.

伯东 Pfeiffer 旋片泵 Duo 3 技术参数如下:

伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生                               台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
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