射频离子源RFICP 380和分子泵组用于溅射沉积Cu薄膜
2021-02-02 07:30:43 伯东企业(上海)有限公司 发布
该制造商的镀膜机设备采用双离子束溅射沉积系统, 该设备的本底真空为5x10-5 Pa, 溅射气体使用 Ar+ 粒子, 靶材成分为 99.99% Cu, 衬底为硅片.
其双离子束溅射沉积系统工作示意图如下:
其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.
用于溅射的离子源采用伯东的 KRI 聚焦型射频离子源 380,
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:
portant;">
射频离子源型号 |
portant;">
RFICP 380 |
portant;">
Discharge 阳极 |
portant;">
射频 RFICP |
portant;">
离子束流 |
portant;">
>1500 mA |
portant;">
离子动能 |
portant;">
100-1200 V |
portant;">
栅极直径 |
portant;">
30 cm Φ |
portant;">
离子束 |
portant;">
聚焦 |
portant;">
流量 |
portant;">
15-50 sccm |
portant;">
通气 |
portant;">
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
portant;">
典型压力 |
portant;">
< 0.5m Torr |
portant;">
长度 |
portant;">
39 cm |
portant;">
直径 |
portant;">
59 cm |
portant;">
中和器 |
portant;">
LFN 2000 |
推荐理由:
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
用于预清洗的离子源是采用伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000
伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 2000 技术参数:
portant;">
离子源型号
|
portant;">
霍尔离子源 eH2000 |
portant;">
Cathode/Neutralizer |
portant;">
F or HC |
portant;">
电压 |
portant;">
50-300V |
portant;">
电流 |
portant;">
10A |
portant;">
散射角度 |
portant;">
>45° |
portant;">
可充其他 |
portant;">
Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
portant;">
气体流量 |
portant;">
2-75sccm |
portant;">
高度 |
portant;">
4.0“ |
portant;">
直径 |
portant;">
5.7“ |
portant;">
水冷 |
portant;">
是 |
其溅射室需要沉积前本底真空抽到1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 30 Eco, 其技术参数如下:
分子泵组 Hicube 30 Eco 技术参数
portant;">
泵组型号 |
portant;">
进气法兰 |
portant;">
分子泵 |
portant;">
抽速 |
portant;">
极限真空 |
portant;">
前级泵型号 |
portant;">
前级泵 |
portant;">
Hicube 30 Eco |
portant;">
DN 40 ISO-KF |
portant;">
Hipace 30 |
portant;">
22 |
portant;">
1X10-7 |
portant;">
MVP 030-3 |
portant;">
1.8 |
实际运行结果:
- 双离子束溅射制备的薄膜由于其他方法生长的薄膜, 薄膜的表面平整度、厚度均匀性更好
- 绝对沉积角必须要避开 25°附件的位置, 这一位置的粗糙度太大, 生长出的薄膜表面的各方面性质远低于其他位置
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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