hakuto 离子刻蚀机 10IBE 用于多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究-益择网-专业的仪器网上选购商城

南京某材料科学学院结合 SiO₂ 纳米球掩膜与立柱刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 离子刻蚀机 10IBE 去除由荷能离子撞击所带来的损失层, 优化了多晶黑硅结构.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

基板尺寸	< Ф8 X 1wfr
样品台	直接冷却（水冷）0-90 度旋转
离子源	16cm 考夫曼离子源
均匀性	±5% for 4”Ф
硅片刻蚀率	20 nm/min
温度	<100

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：

离子源型号	离子源 KDC 160
Discharge	DC 热离子
离子束流	>650 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	16 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-30 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
中和器	灯丝

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 可以去除损伤层, 保持原有黑硅结构的基础上使表面结构更加光滑.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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