搜索
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于光学器件精密加工
2021-05-14 11:23:53 伯东企业（上海）有限公司 发布
某光学器件制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于光学器件精密加工, 通过蚀刻工艺提高光学器件的聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.
.jpg)
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
|
Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
|
均匀性 |
±5% |
|
|
硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
|
|
样品台 |
直接冷却,水冷 |
|
|
离子源 |
Φ20cm 考夫曼离子源 |
.jpg)
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
.jpg)
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
|
离子源型号 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射频 |
|
离子束流 |
>800 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
20 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
中和器 |
LFN 2000 |
采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 可以使 PV、RMS分别为1.347μm和340nm的粗糙表面, 通过蚀刻其粗糙度可降低至75nm和13nm; PV、RMS分别为61nm和8nm的表面, 其粗糙度可降低至9nm和1nm. 该刻蚀工艺能有效提高光学器件聚酰亚胺薄膜的表面光洁度.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 :
- 网友评论:
- 已有0条评论
