Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层-益择网-专业的仪器网上选购商城

某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.

真空腔	1 set, 主体不锈钢,水冷
基片尺寸	1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,
离子源	ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75
离子束入射角	0 Degree～± 90 Degree
极限真空	≦1x10-4 Pa
刻蚀性能	一致性: ≤±5% across 4”

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：

离子源型号	离子源 KDC 75
Discharge	DC 热离子
离子束流	>250 mA
离子动能	100-1200 V
栅极直径	7.5 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	2-15 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr
长度	20.1 cm
直径	14 cm
中和器	灯丝

无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（Passivation, Metal, IDL）可一层一层去除, 也就是芯片去层（Delayer）, 通过层次去除（Delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                   M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层

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