搜索
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片
2021-05-14 11:27:59 伯东企业（上海）有限公司 发布
某 AI 芯片公司研发部采用伯东 20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片, 去除制造过程中产生的污染物, 提高 AI 芯片的表面均匀度.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
|
Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
|
样品台 |
样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 |
|
|
离子源 |
20cm 考夫曼离子源 |
|
|
均匀性 |
±5% for 8”Ф |
|
|
硅片蚀刻率 |
20 nm/min |
|
|
温度 |
<100 |
.jpg)
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：
.jpg)
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
|
离子源型号 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射频 |
|
离子束流 |
>800 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
20 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
30 cm |
|
直径 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700 技术参数:
|
2707-Operating voltage: V DC |
48 (± 5 %) V DC |
|
Ar 的压缩比 |
> 1 · 1011 |
|
Ar 的抽速 |
665 l/s |
|
Ar 的最终转速时的气体流量 |
3.5 hPa l/s | 2.62 Torr l/s | 3.5 mbar l/s |
|
|
